为了使FET工作， MR-75004必须在各电极上加电压。对于N型沟道，结型及耗尽型，漏极D对源极S的电位为正，G对S的

电位为负，D、G对S的电位均为正。对于P型沟道，加上与N型沟道时极性相反的电压。此外，耗尽型的情况，有时N型沟道、P型沟道都使G、S成为同电位使用。

   FET的用途

   晶体管的输入阻抗大致为几十kQ，而FET的输入阻抗则为几

Mfl以上。因此，FET具有输入阻抗非常高的特征，用于需要高输入阻抗的测量仪器或电容式话筒等输入部分的放大电路中。由于栅压的作用，FET还具有导通状态或截止状态的开关作用，因此用于计算机的逻辑电路中。

   场效应晶体管的主要参数

   (1)饱和漏电流IDSS

   当栅源间电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。

   (2)栅源截止电压UGS

   使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。