因为p-GaN的的掺杂浓度很难做到很高,并且掺杂剂Mg的离化率很低,因此p-GaN层一般是高阻层。 EP1C3T100C8N所以在p-C・aN表面一般沉积一层透明导电层。早期的透明导电层一般是几十纳米的Ni/Au层在α氛围中退火得到,目前业界生产一般采用氧化铟锡(ITO)作为透明导电层。因此将ITo粗化也是提高光提取效率的一种方式。Ray-hua Homg等人卩四用聚苯乙烯球做掩膜对p面向上LED的ITo层进行纹理化刻蚀,优化条件后,ITo的粗糙度可达14Onm,用于掩膜的聚苯乙烯球的直径在15o~300nm之间。具有纹理化ITo窗口层结构的LED样品比平面LED样品在⒛mA和硐0mA下光强分别增加30%和们%,经过计算,纹理化和没有纹理化的样品的外量子效率分别为”,6%和17,4%,即外量子效率提高约5.2%。

   GaN基LED外延芯片厂在传统正装结构,一方面由于p-GaN在上表面,不好粗化;另一方面粗化p-GaN会带来一些损伤或者漏电等其他光电参数的问题,而且粗化后在点测时光功率有很大程度上的提高,但是封装后由于支架杯底良好的反射效果而使得粗化引入的光提取效率提高变得较为有限。但是在垂直结构LED上,将G洲夕卜延膜剥离后,n~GaN在器件的上表面,可以用湿法粗化,在良率和成本等方面均较为可控,具有实际的生产价值。