2007年报道了⑿叨用聚苯乙烯小球做掩膜通过干法刻蚀做GaN狈刂壁粗化,如图5-16所示为侧壁粗化示意图和sEM图。350mA下,InGaN/GaN有侧壁粗化的样品比没有的样品光强增加26%,这表明侧壁粗化有助于提高光提取效率。 EP1C3T100C7N有侧壁出光的样品的wall~plug效率提高26,5%。1000小时老化后,侧壁粗化的功率型芯片没有任何退化现象。

   20008年报道了P叨用纳米光刻技术和刻蚀技术粗化少GaN,提高GaN基绿光功率型芯片的光提取效率。35ClmA下,111m×1mm的具有纳米粗化芯片用To-can封装后光强提高48%,而且测试光辐射模型发现,具有纳米p-GaN粗化表面的芯片具有更宽的出光角度。如图5-17所示为纳米粗化LED与传统LED的IJ曲线和远场辐射光型图。