湿法粗化后GaN的表面形貌均方根粗糙度(RMS)与溶液的温度、浓度以及粗化的时间相关。EP1C12Q240I8N粗化后的光电参数不但与粗化后的六角锥大小有关,而且与六角锥的密度有关。一般来讲,溶液浓度和温度保持不变的条件下,随着粗化时间越长,GaN表面的六角锥越来越大,并且六角锥的密度在减少,一般认为是由于一些六角锥在长大,同时另一些六角锥在慢慢的溶解,或者可以说是一些六角锥把周围的六角锥慢慢的“吞食”掉,而自身在不断地长大;在一定范围内,粗化时间越长,器件的出光功率越大,但不是时间越长,出光功率越大,到一定时间后出光功率会下降,这与六角锥密度变小有关。在一定粗化时间和溶液浓度的条件下,随着粗化温度的升高,粗化的速度增加,达到相同的粗化效果需要的粗化时间更短,温度越高粗化后的六角锥颗粒越大,另外颗粒密度则越小;随着溶液温度的升高,器件光提取效率先增加至最大值后再下降。在一定的溶液温度和时间条件下,溶液浓度越高,GaN被粗化的越快;但一般认为低浓度的粗化液对光提取效率的提高比高浓度粗化液更有效。

   光增强化学湿法刻蚀eECl是湿法刻蚀的一种,它的原理是先将G槲氧化分解,然后是氧化物的溶解。光增强化学湿法刻蚀是在室温条件、UV光照射下的光电化学过程,N极性GaN浸泡在刻蚀溶液中时,当光的能量大于GaN的禁带宽度时,即/cI/≥几,兄≤工竺, 兄≤365nm时,被照射的G焖表面将吸收光的能量,而激发出电子空穴对,空穴将参与GaN的氧化分解,而多余的电子若通过外置偏压导出,则此PEC为光电化学刻蚀;若芯片没有接外置偏压,即电子是直接通过芯片上的接触电极与氧化载体(oxidizing agcnt)消耗掉,则反应为无电极光增强化学湿法刻蚀(Photo-assistcd clectrole“etching)。