GaN基高压LED器件的外延片结构是在蓝K4S643232F-TC60宝石衬底上依次生长GaN缓冲层,GaN体材料层,InGaN/GaN多量子有源区,川GaN/GaN载流子限制层和高p型欧姆接触层,p-⒍Ⅸ限制层。高压LED器件制备流程。

   高压LED工艺流程如下:

   (1)清洗LED夕卜延片。先用王水(IINo3∶HCl=1∶3)高温煮沸去除铟球、表面氧化物及杂质颗粒等,取出后用去离子水冲洗若干次;丙酮加热煮沸清洗,去除有机物污染;无水乙醇加热清洗,主要用于去除残余的丙酮等有机溶剂,最后用去离子水清洗若干遍。

   (2)刻蚀ll αN台阶。采用厚光刻胶作为ICP刻蚀掩膜,刻蚀深度约11um,刻蚀图形后用丙酮溶液去胶,常规清洗。

   (3)生长用于深槽刻蚀的S⒑2掩膜。经光刻、BOE腐蚀获得掩膜图形,丙酮去胶,常规清洗。刻蚀深槽。根据前述所示,调节￡P各刻蚀参数,图形衬底的外延片刻蚀深度约4,5um,图形衬底外延片刻蚀深度约为6.5um,深槽达到绝缘隔离要求后,用BOE溶液去除掩膜,常规清洗。                '

   (4)生长Siα绝缘层,然后经光刻,BOE腐蚀、开出p-GaN窗口。