垂直结构设计及制备工艺
发布时间:2016/8/5 20:51:30 访问次数:697
垂直结构设计及制备工艺
垂直结构LED通过激光剥离工艺将GaN夕卜延层转移至si、cu等高热导率的导电衬底,JM20335-LGAA1C从而克服传统的蓝宝石衬底G瘀基LED在效率、散热、可靠性等方面存在技术瓶颈。典型的垂直结构芯片外观结构如图⒋34所示。
垂直结构设计及制备工艺
垂直结构LED通过激光剥离工艺将GaN夕卜延层转移至si、cu等高热导率的导电衬底,JM20335-LGAA1C从而克服传统的蓝宝石衬底G瘀基LED在效率、散热、可靠性等方面存在技术瓶颈。典型的垂直结构芯片外观结构如图⒋34所示。
相关技术资料- 8-22印制导线的形状可分为
- 8-5垂直结构设计及制备工艺
- 相关IC型号
- JM20335-LGAA1C
- JM20330
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