在氮化物材料体系中,不同组分材料的能带结构有很大差异,其功函数、禁带宽L24C02度都有较大变化,不同材料相互接触构成异质结。由于材料的能带结构不同,异质结能带结构和同质结能带结构相比具有很大差异。在两种材料的界面处导带底和价带顶不连续,存在能带带阶,带阶对载流子的分布、载流子注入及复合有很大影响。异质结在电子器件、光电子器件上有重要应用,下面将主要叙述异质结的能带结构及其相关特性。

   单异质结能带结构

   一个异质结构中包含两种不同能带结构的半导体材料。异质结界面两侧导带底和价带顶的相对位置由这两种材料的电子亲和能和禁带宽度决定l9l。半导体材料的电子亲和能一般是指表面材料导带底电子逸出表面所需要的最低能量,即真空中自由电子能级和导带底能级之间的能量差。常见半导体材料导带底和价带顶的相对位置。由不同能带结构半导体材料组成的异质结主要分为两种类型。I型异质结为窄禁带材料的导带底低于宽禁带材料导带底,窄禁带材料价带顶高于宽禁带材料价带顶。因为窄禁带材料一侧导带底低于宽禁带材料一侧,所以导带自由电子局 域在窄禁带材料一侧。同理,窄禁带材料的价带顶高于宽禁带材料的价带顶,价带空也

局域在窄禁带材料一侧。Ⅱ型异质结为窄禁带材料的导带底低宽禁带材料导带底,窄禁带材料价带顶低于宽禁带材料价带顶,。因为窄禁带材料一侧导带底低于宽禁带材料一侧,所以导带自由电子局域在窄禁带材料一侧。同理,窄禁带材料的价带顶低于宽禁带材料的价带顶,价带空穴局域在宽禁带材料一侧。