快闪存储器ROM(Flash ROM)
发布时间:2016/7/6 22:21:10 访问次数:1571
Flash ROM是在EPROM和′PROM的基础上发展起来的。Flash ROM的读/写速度很快,存取时间可达20ns,所以也叫闪速存储器,简称“闪存”。ACPM-7251-SG1目前很多单片机内均采用Flash作为程序存储器,其使用与扩展方法和′PROM一样。
闪速存储器在EPROM工艺的基础上增添了芯片电擦除和可再编程功能,使其成为性价比和可靠性高、擦写快、非易失的卩PROM存储器。很多Flash内部集成有DαDC变换器,使读、擦除、编程使用单一电压(根据不同型号,有的是单一+SV,也有的是单一+3V),从而使在系统编程(IsP)成为可能,这种芯片可重复擦写10万次以上,数据可靠保持超过10年。
闪速存储器必须按块(Block)擦除,每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格,而′PRoM则可以一次只擦除一字节(Bytc),因此目前闪存也被广泛用在PC的主板上,用来保存BIOs程序,便于进行程序的升级,同时也广泛用作硬盘的替代品,具有抗震、速度快、
无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写。
常见典型Flash ROM芯片有AT29C256(32K×8位)、AT29LV040A(512K×8位)和A血⒛F016B(2M×8位)等。
Flash ROM是在EPROM和′PROM的基础上发展起来的。Flash ROM的读/写速度很快,存取时间可达20ns,所以也叫闪速存储器,简称“闪存”。ACPM-7251-SG1目前很多单片机内均采用Flash作为程序存储器,其使用与扩展方法和′PROM一样。
闪速存储器在EPROM工艺的基础上增添了芯片电擦除和可再编程功能,使其成为性价比和可靠性高、擦写快、非易失的卩PROM存储器。很多Flash内部集成有DαDC变换器,使读、擦除、编程使用单一电压(根据不同型号,有的是单一+SV,也有的是单一+3V),从而使在系统编程(IsP)成为可能,这种芯片可重复擦写10万次以上,数据可靠保持超过10年。
闪速存储器必须按块(Block)擦除,每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格,而′PRoM则可以一次只擦除一字节(Bytc),因此目前闪存也被广泛用在PC的主板上,用来保存BIOs程序,便于进行程序的升级,同时也广泛用作硬盘的替代品,具有抗震、速度快、
无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写。
常见典型Flash ROM芯片有AT29C256(32K×8位)、AT29LV040A(512K×8位)和A血⒛F016B(2M×8位)等。
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