恒定电场条件下,分别DSIK45在3个不同的温度点(85℃、105℃、125℃)各测量一批PMOsFET的失效时间,以进行激活能的提取。在对数正态坐标上分别提取中位失效时间饵1、%I和%1,在半对数坐标上画出中位失效时间△1、饧l和%1与温度的倒数√写、√马和√尼的对应关系,对测量点进行线性拟合,该拟合曲线的斜率为凡″,据此可计算出激活能厶,如图11.19所示。本图仅是典型CMOS工艺NBTl效应激活能的提取,图中计算出的激活能是0.52cV。

   电场加速因子的提取。恒定高温(125℃)环境条件下,分别在3个不同的栅极电压应力下(△.8V、咆,0V、吃。2V)各测量一批薄栅氧化层的寿命,在对数正态坐标上分别提取中位失效时间π2、‰和‰,在半对数坐标上画出中位失效时间△2、‰和%2与栅极应力电压/GsI、吒s2和%s3的倒数的对应关系,该对应关系拟合曲线的斜率就是电场加速因子C,如图11.⒛所示。