随着CMOs器件工艺尺寸的不断缩小,热载流子注入效应始终存在,导致器件性能产生退化,甚至最终使器件失效。热载流子注入将诱导氧化层陷阱电荷和界面态的产生,这些缺陷是导致器件性能退化的主要原因。AD8052ARM尽管MED℃I不具备直接模拟热载流子效应的能力,但它能精确模拟出漏端附近横向电场、碰撞电离率和电子注入电流的分布,因此可以得到热载流子产生界面态区域和分布情况,进而可以获得器件退化的区域及退化的状态。

   MEDICI是先驱(AVANT!)公司的一个用来进行二维器件模拟的软件,通过模拟器件中电势和载流子的二维分布,预测任意偏置条件下的MOS型、双极型及其他类型的半导体器件的二维特性。其通过解洎松(Poisson)方程和电子、空穴电流连续性方程,分析二极管、三极管及涉及两种载流子电流的应。MEDICI也能分析单载流子起主要作用的器件,如MOsFET、JFET、MESFET。