是正态均值,描述质量特性值分布的集中位置;σ是正态方差,描述

质量特性值分布的分散程度。CAP008DG在上述各参数的统计中,s公司样品的各个工艺参数的标准差均小于H公司样品,说明S公司的工艺一致性较好,工艺偶然偏差较小。由于受栅极多晶硅耗尽的影响,计算出的氧化层厚度是电性能等价的氧化层厚度,这个厚度比实际的物理层厚度要大一些,与相关文献报道的当栅介质厚度小于狁m条件下,电性能测试厚度比实际物理层厚度大约0.sllm的研究接近。两批样品的平带电压接近。H公司电容样品的氧化层固定电荷密度比s公司电容样品的氧化层固定电荷密度要低。如图9.20所示,图中实线是H公司样品的氧化层固定电荷密度拟合的正态分布曲线,虚线则是s公司的氧化层圃定电荷密度拟合的正态分布曲线。从中可见H公司样品的中心值较低,表明固定电荷密度较低。而S公司的曲线表明s公司样品的电荷密度的中心分布更集中一些。