铝与二氧化硅
发布时间:2016/6/22 21:28:56 访问次数:2345
铝与二氧化硅
以硅基为材料的微电子器件中,⒏%层作为介质膜的应用广泛,而铝常用Q2006RH4做互连线的材料,S⒑2与铝在高温时将发生化学反应:
4Al+3Sio2-÷2A103+3si
使铝层变薄,若So2层因反应消耗而耗尽,则造成铝硅直接接触。这是一种潜在的失效机制,尤其对功率器件,结温高,易产生热斑,热斑处A1―So2反应造成PN结短路。
克服措施是有版图设计时考虑热分布均匀、散热好、热阻低。采用如So2一Al―s⒑2或si3N4―s⒑2复合钝化层,用双层金属如△―Al、W―Al等代替单一铝互连线。
铝与二氧化硅
以硅基为材料的微电子器件中,⒏%层作为介质膜的应用广泛,而铝常用Q2006RH4做互连线的材料,S⒑2与铝在高温时将发生化学反应:
4Al+3Sio2-÷2A103+3si
使铝层变薄,若So2层因反应消耗而耗尽,则造成铝硅直接接触。这是一种潜在的失效机制,尤其对功率器件,结温高,易产生热斑,热斑处A1―So2反应造成PN结短路。
克服措施是有版图设计时考虑热分布均匀、散热好、热阻低。采用如So2一Al―s⒑2或si3N4―s⒑2复合钝化层,用双层金属如△―Al、W―Al等代替单一铝互连线。
相关技术资料- 6-22铝与二氧化硅
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