其中,A是在si/s⒑2界面处与水相关的中性物质;h+是在硅表面的空穴。在NBTI应力期间,OES4818S1正氢离子从三价硅氢键si―H中释放出来。其中一些氢离子从界面扩散到体二氧化硅中,其中一些俘获引起了阈值电压的漂移。在早期的应力阶段,式(5.65)和(5.66)在界面处产生了界面态ρt和正的氢离子H+。这个过程受到三价硅氢键的分解速率限制。然而,在一段应力时间之后,H+从界面到氧化层中的传输限制了该过程,反应速率被逐渐减少的si/s⒑2界面处电场限制,这是由氧化层中的正电荷陷阱和不断增加的界面态造成的。因此,H+的进一步扩散被减少,阈值电压漂移减少并且逐步达到饱和。

   虽然移动的氧化层电荷包括钠离子或其他离子,如Li+、K+、Ca抖、Mg抖,通常导致离子污染,有确切证据表明,H+可以与可动电荷一样,很容易地在氧化层中长时间存在。虽然NBTI主要关心‰和岛双s⒆的单向退化,移动H+的相互作用仍需注意,其在不可逆应力下会引起脱嵌。