多晶硅发射级腐蚀
发布时间:2016/6/19 18:56:21 访问次数:453
发射极可采用多晶硅。首先生ES2B-13-F长栅氧化层,随后沉积第一层多晶硅。采用发射极光刻版进行光刻和腐蚀,去掉集电区的多晶硅和氧化层,如图4.38所示。
接着沉积第二层多晶硅,并进行磷注入。发射极处的多晶硅与硅衬底连接。随后进行栅极光刻和腐蚀,形成发射极以及MOs的多晶栅,如图4.39所示。
随后的工艺与标准CMOs工艺相同,最终的器件结构如图4.40所示。
发射极可采用多晶硅。首先生ES2B-13-F长栅氧化层,随后沉积第一层多晶硅。采用发射极光刻版进行光刻和腐蚀,去掉集电区的多晶硅和氧化层,如图4.38所示。
接着沉积第二层多晶硅,并进行磷注入。发射极处的多晶硅与硅衬底连接。随后进行栅极光刻和腐蚀,形成发射极以及MOs的多晶栅,如图4.39所示。
随后的工艺与标准CMOs工艺相同,最终的器件结构如图4.40所示。
上一篇：P阱注入
上一篇：数模混台⒏-CMOs工艺
相关技术资料- 6-19多晶硅发射级腐蚀
热门点击
公网安备44030402000607
