半导体工业中存在大范围的清洗工艺。每个制造区域对清洁度有着不同的要求,OP262GSZ也对不同的清洁方案有着不同的经验。在这一节中描述的清洗方案是最常用的类型。当然,在不同的晶圆制造区域,它们又将有多种变化或方案的多种不同组合。在这里描述的是在掺杂、沉积和金属沉积前晶圆的清洗工艺。

   液体的化学清洗工艺通常称为湿法工艺或湿法清洗。浸泡型清洗在嵌入清洗台台板上的玻璃、石英或聚四氟乙烯的反应池中进行。如果清洗液需要加热,则反应池会置于加热盘上,周围被加热用的电阻线缠绕或者其内部有一个浸入式加热器。化学品也可用于喷洒,应用于直接冲击或离心分离设备中。

   一种常见的清洗溶液是热硫酸添加氧化剂,在90~⒓5℃的温度范围内,硫酸是非常有效的清洗剂。在这样的温度下,它可以去除晶圆表面大多数的无机残余物和颗粒。添加到硫酸中的氧化剂用于去除含碳的残余物,化学反应将碳转化成二氧化碳,后者以气体的形式离开反应池:

   C+02→Co2(气体)

   一般使用的氧化剂有过氧化氢(比o2)、亚硫酸氨[αH4)2S20:]、硝酸(IINα)和臭氧(α)。