(1)干膜成像法

   干膜(P⒒Ⅲ呷Dγ∏lm)的构成:聚酯盖膜(Polycstcr)+感光抗蚀膜(Pllotorcsist co碰hg)+聚乙烯隔膜(Polycthylcnc,PE)。

   (2)涉及工序

   ①贴膜(干式贴膜和湿式贴膜)。

   贴膜前铜面处理(喷砂研磨法――火山岩粉末、化学前处理法――过硫酸钠微蚀、机械HD6437042E14F研磨法――灰色尼龙刷各有优缺点),去除铜面油脂、氧化层、灰尘颗粒残留、水分(特别是孔内)、化学物质(特别是碱性物质)。

   湿式贴膜能改善贴膜效果,但仅能适用于未钻孔的内层板面电路制作;传统水溶性干膜也不适用于湿式贴膜法(胶渣现象);氧化铜面的疏水性和干净铜面的亲水性决定湿式贴膜设计中,铜面湿润后必须马上贴膜。

   ②曝光。

   曝光的作用是曝光机的紫外线通过底片使菲林上部分图形感光,从而使图形转移到铜板上,如图610所示。

   ③显影。通过药水碳酸钠的作用,将未曝光部分的干膜溶解并冲洗后,留下感光的部分,有垂直显影和水平显影两种。

   ④蚀刻。蚀刻是将未曝光的露铜部分铜面蚀刻掉。

   ⑤剥膜。剥膜是通过NaoH将保护线路铜面的菲林去掉。曝光后干膜属于聚酯类高分子化合物,具有羧基(―COOH)的长链立体网结构。与NaoH或专用退膜水发生皂化反应,长链网状结构断裂,产生皂化反应。在高压作用下,断裂后的碎片被剥离铜面。