可用硅（铜）一铝合金或难熔金属硅化物代替纯铝。经过进一步的发展，在ULSI电路中， AD8206ARZ目前已采用和铜作为互连材料。此时以铝基材料作为互连线使用，其电导率不够高，抗电迁移性能差，已不适应要求。铜的导电性好，用壹流偏置射频溅射方法生成薄膜，并经在氮气保护下，450℃高温停留30min的退火处理，可得到大晶粒结构铜的薄层，其电阻率仅为1. 76)uC/,．cm，激活能为1.26eV，几乎比Al-Si-Cu的(0. 62eV)大两倍，在同样

电流密度下，寿命将比Al- Si-Cu的长3～4个数量级。

   多层结构

   采用以金为基的多层金属化层，如Pt。S12 -Ti-Pt-Au层，其中，Pts S12与硅能形成良好的欧姆接触，钛是粘附层，铂是过渡层，金是导电层。对于微波器件，常采用Ni-Cr-Au及Al- Ni- Au层。当然，多层金属化使工艺复杂，成本提高。

   覆盖介质膜    

   由于如PSG、Al2 03或Si。N14等介质膜能抑制表面扩散、压强效应和热沉效应的综合影响，延长铝条的中位寿命。