硅光电三极管的频率响应除了与二极管相同外
发布时间:2016/1/25 19:31:12 访问次数:1220
硅光电三极管的频率响应除了与二极管相同外，还受硅HD74HC02P光电三极管基区渡越时间和发射结电容的限制。图5.25示出了硅光电三极管的基本电路及等效电路图，为便于分析和计算，在等效电路中不考虑载流子通过基区所需的时间（即渡越时间）对信号的影响。
为cb结二极管电流源；Cbc为bc结电容；rb。为bc结电阻；Cb。为be结电容：rb。为be结正向电阻；L为放大后的电流源，并且厶= p/p，∥为三极管的电流放大倍数；Re。为ce极间电阻；RL为负载电阻。
由图可见，p、Cbe和‰构成写硅光电二极管的等效电路完全相同的电路。由于rb。>>rb。、Cb。>>Cb。，不考虑‘在rb。及Cbe中的分流作用，于是，硅光电二极管的交流等效电路可以简化为图5.25 (b)形式。
选择合适的负载，经分析和变换后.
由式(5.25)可看出，要增加硅光电三极管的频率响应，必须使时间常数%。C乙和qCc。尽可能小。对于墨的选择同硅光电二极管，因此在实际使用中也要根据响应速度和输出幅度来选择负载电阻R。
硅光电三极管的频率响应除了与二极管相同外，还受硅HD74HC02P光电三极管基区渡越时间和发射结电容的限制。图5.25示出了硅光电三极管的基本电路及等效电路图，为便于分析和计算，在等效电路中不考虑载流子通过基区所需的时间（即渡越时间）对信号的影响。
为cb结二极管电流源；Cbc为bc结电容；rb。为bc结电阻；Cb。为be结电容：rb。为be结正向电阻；L为放大后的电流源，并且厶= p/p，∥为三极管的电流放大倍数；Re。为ce极间电阻；RL为负载电阻。
由图可见，p、Cbe和‰构成写硅光电二极管的等效电路完全相同的电路。由于rb。>>rb。、Cb。>>Cb。，不考虑‘在rb。及Cbe中的分流作用，于是，硅光电二极管的交流等效电路可以简化为图5.25 (b)形式。
选择合适的负载，经分析和变换后.
由式(5.25)可看出，要增加硅光电三极管的频率响应，必须使时间常数%。C乙和qCc。尽可能小。对于墨的选择同硅光电二极管，因此在实际使用中也要根据响应速度和输出幅度来选择负载电阻R。
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- 4-151970年通过在蒽单晶的两个侧面构筑电极
- 1-25硅光电三极管的频率响应除了与二极管相同外
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