工艺用水
发布时间:2015/10/26 22:14:27 访问次数:485
在晶圆制造的整个过程中,HPA00580EDR晶圆要经过多次的化学刻蚀与清洗,每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷。在整个的制造过程中,晶圆总共要在冲洗的系统中待上好几个小时,一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑①的水,这样实际七产生了一个投资项日,包括水的加工处理、向各个加工工艺区的水的传输、废水的处理与排放19。由于半导体器件容易受到污染,所以所有工艺用水,必须经道处理,达到非常严格的洁净度要求。
城市系统中的水包含大量净化间不能接受的污染物:
1.溶解的矿物
2.颗粒
3.细菌
4.有机物
5.溶解氧
6.二氧化硅
普通水中的矿物质来自盐分,盐分在水中分解为离子。例如,食盐(氯化纳)会分解为钠离子(Na+)和氯离子(Cl一)。每个离子都是半导体器件与电路的污染物。反渗透(RO)和离子交换系统町去除离子。
去除带电离子工艺,使水从导电介质变成电阻,这样可用于提高去离子( DI)水的质量,去离子水( DI)在25℃时的电阻率是18 000 000 Q.cm。超纯水(UPW)被处理到18.2兆欧( MCl)水。,图5.20显示了当水中含有大量不同的溶解物质时的电阻值。
在晶圆制造的整个过程中,HPA00580EDR晶圆要经过多次的化学刻蚀与清洗,每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷。在整个的制造过程中,晶圆总共要在冲洗的系统中待上好几个小时,一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑①的水,这样实际七产生了一个投资项日,包括水的加工处理、向各个加工工艺区的水的传输、废水的处理与排放19。由于半导体器件容易受到污染,所以所有工艺用水,必须经道处理,达到非常严格的洁净度要求。
城市系统中的水包含大量净化间不能接受的污染物:
1.溶解的矿物
2.颗粒
3.细菌
4.有机物
5.溶解氧
6.二氧化硅
普通水中的矿物质来自盐分,盐分在水中分解为离子。例如,食盐(氯化纳)会分解为钠离子(Na+)和氯离子(Cl一)。每个离子都是半导体器件与电路的污染物。反渗透(RO)和离子交换系统町去除离子。
去除带电离子工艺,使水从导电介质变成电阻,这样可用于提高去离子( DI)水的质量,去离子水( DI)在25℃时的电阻率是18 000 000 Q.cm。超纯水(UPW)被处理到18.2兆欧( MCl)水。,图5.20显示了当水中含有大量不同的溶解物质时的电阻值。
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