控制颗粒，空气中温度、湿度和HEF4053BTR烟雾的含量也需要规定与控制。温度控制对操作员的舒适性与工艺控制是很重要的。许多用化学溶剂来做刻蚀与清洗的工艺都在没有温度控制的I：艺槽内完成，只依赖于净化间温度的控制。这种控制非常重要，因为化学反应会随温度的变化而不同，例如，温度每升高10℃，刻蚀速率参数加2。典型的室温为72 F+2 F(22. 20C±1.loC)。，

   相对湿度也是一个非常重要的工艺参数，尤其在光刻工艺中。在这个工艺中，要在晶圆表面镀_[：一层聚合物作为刻蚀膜版。如果湿度过大，晶圆表面太潮湿，会影响聚合物的结合，就像在潮湿的画板上绘画一样，如果湿度过低，晶圆表面就会产生静电，这些静电会从夺‘毛中吸附微粒。一般相对湿度应保持在15%到50%之间。

   烟雾是净化间的另一个窄中污染源。而它同样对光刻工艺影响最大。、光刻中的—1＼步骤tj照相中的曝光相似，是一种化学反应工艺。臭氧是烟雾中的主要成分，易影响曝光，必须被控制．在进入空气的管道中装七碳素过滤器可吸附臭氧。