半导体晶圆的表面要规则，MC9S12DP256CVPV且没有切割损伤，并要完全平整。第一个要求来自于很小尺度制造器件的表面和次表面层。它们的尺度在0.5—2 ym之间。为了获得半导体器件相对尺寸的概念，想象图3. 23的剖面和房子一样高，大概8英尺(2.4 m)，在该范围内，晶圆的工作层都要在顶部有1—2英寸（25 mm或50 mm）或更小的区域。

   平整度是小尺寸图案绝对必要的条件（见第1 1章）。先进的光刻工艺把所需的图案投影到晶圆表面，如果表面不平，投影将会扭曲，就像电影图像在不平的银幕上无法聚焦一样。

   平整和抛光的工艺分两步：磨片和化学机械抛光（见图3. 24）。磨片是一个传统的磨料研磨r艺，精调到半导体使用的要求。磨片的主要目的是去除切片工艺残留的表面损伤。

   图3. 23    MOS晶体管截面图