抑制闩锁效应的主要方法HCPL-M211是切断触发通路和降低其灵敏度，不使寄生晶体管工作或降低寄生晶体管电流放大系数。

   1．选材及设计改进

   1)采用SOSlCMOS工艺

   在绝缘层衬底上生长一层单晶硅外延层，管结构，防止闩锁的发生。

   2)采用保护环

   用保护环抑制闩锁效应是一种有效方法，降低横向电阻和横向电流密度。然后再制作电路，这样从根本上清除了晶闸。

   3)采用N/N+外延并在阱区设置埋层

   N/N+外延和P+阱的剖面结构如图4. 22所示。在重掺杂硅衬底上外延3～7肛m厚的同型轻掺杂硅，减少了寄生电阻Rs、Rw和NPN管的电流放大系数，可使闩锁效应降低到最低程度。

  2．改进版图设计

   尽可能多开电源孔和接地孔，以增加周界，减小接触电阻。电源孑L应放在P-MOS和P阱间，减小P阱面积，以便减少辐照所引起的光电流。

   3．遵守使用规程，确保使用可靠性

   发生闩锁不仅与电路抗闩锁能力有关，还与使用恰当与否有关。如加电次序，不应带电操作等。