(1)高频陶瓷电容器

   按国际电工委员会(International Electrotechnical Commission，IEC)标准，N01LK001陶瓷电容器分为I型、Ⅱ型、Ⅲ型三大类。高频陶瓷电容器(CC)是I型陶瓷电容器，又称陶瓷电容器温度补偿型（T/C型，或Class-l型），其容量的温度特性及高频的介质损耗是最主要的性能参数；电容量范围为l～lOOOpF，测试频率为1MHz;介电常数小，通常在12～220之间；额定电压为63～500V;电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化，属超稳定、低损耗的电容器。常用于对稳定性，可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的电路。

   (2)低频陶瓷电容器

   低频陶瓷电容器(CT)是Ⅱ型陶瓷电容器，又称陶瓷电容器高诱电型（Hi-K型，或Class-2型），材料主体是具有钙钛矿型结构的铁电强介材料，它以介质材料的高介电常数为主要特征，其介电常数在1000～20000之间；电容量范围为lOOpF～O. 0471/F，测试频率为lkHz;额定电压为50～100V;电气性能较稳定，但是在频率超过一定范围时电容量的衰减幅度很大；低频陶瓷电容器的特点是体积小、价廉、损耗大、稳定性差，因此主要适用于隔直、耦合、旁路和滤波电路及对可靠性要求较高的中、低频电路。

   (3)半导体陶瓷电容器

   半导体陶瓷电容器(CS)是Ⅲ型陶瓷电容器，又称为陶瓷电容器半导体型（S/C型，或Class-3型），主要有晶界型(BLC)和表面型(SLC)两大系列，其制作工艺有别于I型、Ⅱ型陶瓷电容器，是一类利用特殊的微观结构（晶粒及瓷体半导体，晶界或表面绝缘化）来获取巨大的宏观介电效率的高性能陶瓷电容器。其中表面型电容器工艺性好、成本低，得到广泛使用，它以特别高的表观介电常数为主要特征，高达150000以上；电容量范围为0. 01—0. 33ruF。半导体陶瓷电容器适合制作系列化高比容电容器，特别有利于电子整机的小型化设计，在很多领域取代Ⅱ型陶瓷电容器。广泛应用于对容量稳定性和损耗要求不高的场合。