漏极附近电场强度的增加是引发沟道热载流子效应的原因，因此，要减轻漏极附近的场强，AD8361ARMZ比较有效的措施是采用轻掺杂源一漏(Lightly Doped Drain-Source，LDDS)结构，使雪崩注入区向硅衬底下移，离开栅界面处，其情况如图4. 11所示。

    图4. 11   LDDS结构和普通结构电场强度的比较

   对深亚微米器件，还可采用P-I-N漏MOSFET结构来抑制热载流子效应，所谓P-I-N漏结构是在常规沟道区的源一漏端赴降低掺杂浓度至接近本征的lois／cn3～l016／Cm3（N沟道仍为P区），可进一步降低近漏端电场强度。

   此外，工作时限制V DS及VBS的大小，也可改善热载流子效应。

   在MOS器件及IC中，栅极下面存在一薄层Si0。，即通称的栅氧（化层）。栅氧的漏电与栅氧质量关系极大，漏电增加到一定程度即可构成击穿，导致器件失效。

   当前由于VLSI技术的进步，一方面器件尺寸在不断缩小，要求栅氧厚度不断减薄，但电源电压并不能随之按比例减小，栅介质所承受的电场强度在不断增加。例如，原来64k位DRAM，栅氧厚度40nm，电源电压为5V，栅氧场强为1.25MV／cm。1M位

DRAM栅氧厚lOnm，内部电压降至2.5V，场强为2.5MV／cm。目前64M位DRAM，栅氧厚度仅为7nm，电压降为3.3V，器件内部不降压时场强将达到4.7MV／cm。这对栅氧质量及厚度的均匀性都提出了严格要求，以保证栅氧有一定寿命。另一方面，随着IC集成度的提高，电路功能的扩大，可将一个系统集成在一块芯片上，芯片面积不断扩大，相应地芯片上栅氧总面积增大，存在缺陷的概率增加，加上受到高电场作用，栅氧发生击穿的地方增多，可靠性问题变得严重。