1)伏安特性

   LED的伏安特性与普通半导体二极管相同， A1212S-1W如图3-5所示。从特性曲线可以看出，正向电压较小时不发光，此区为正向死区，对于GaAs其开启电压约为1V，对于GaAsP为1.5V，对于GaP（红）约1.8V，GsP（绿）约2V。ab段为工作区即大量发光区，其正向电压一般为1.5~3V。

   加反向电压时不发光，这时的电流称为反向饱和电流，当反向电压加至击穿电压的时候，电流突然增加，称为反向击穿，反向击穿电压为5—20V。

    2)光谱特性

   发光二极管发出的光不是纯单色光，其谱线宽度比激光宽，但比复色光源谱线窄。如GaAs发光二极管的谱线宽度约25nm，因此可以认为是单色光。如图3-6所示为其光谱特性。GaP【红）的峰值波长在70nm左右，其半宽度约lOOnm。若P-N结温度上升，则峰值波长向长波方向飘移，即具有正的温度系数。

   3)发光亮度特性

   发光二极管的发光亮度基本上正比于电流密度。如图3 -7所示。是几种LED的出射度与电流密度的关系曲线。可以看出大多数LED的发光亮度与电流密度成正比，但随着电流密的增加，发光亮度有趋于饱和的现象，因此采用脉冲驱动方式是有利的，它可以在平均电流与直流相等的情况下有更高的亮度。