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由某些半导体材料做成的二极管

发布时间:2015/5/3 18:21:47 访问次数:710

   1..工作原理

   由某些半导体材料做成的二极管,在未A1212LLHLT-T加电压时,由于半导体P-N结阻挡层的限制,使P区比较多的空穴与N区比较多的电子不能发生自然复合,而当给P-N结加正向电压时,N区的电子越过P-N结而进入P区,并与P区的空穴相复合。由于高能电子与空穴复合将释放出一定能量,即场致激发使载流子由低能级跃迁到高能级,而高能级的电子不稳定。总要回到稳定的低能级,这样当电子从高能级回到低能级时放出光子,即半导体发光。辐射的波长决定于半导体材料的禁带宽度E。

   不同材料的禁带宽度E。不同,所以不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。另外有些材料由于成分相掺杂不同,所以就有了各种各样的发光二极管。如图3 -4所示。

   常用发光二极管材料及性能如表3 -1所列。

      

   2.主要参数和特性

   半导体发光二极管既是半导体器件也是发光器件,因此其工作参数有电学参数和光学参数,如正向电流、正向电压、功耗、响应耐间、反向电压、反向电流等电学参数;辐射波长、光谱性发光亮度、光强分布等光学参数。这些参数可从光电器件手册中查到。


   1..工作原理

   由某些半导体材料做成的二极管,在未A1212LLHLT-T加电压时,由于半导体P-N结阻挡层的限制,使P区比较多的空穴与N区比较多的电子不能发生自然复合,而当给P-N结加正向电压时,N区的电子越过P-N结而进入P区,并与P区的空穴相复合。由于高能电子与空穴复合将释放出一定能量,即场致激发使载流子由低能级跃迁到高能级,而高能级的电子不稳定。总要回到稳定的低能级,这样当电子从高能级回到低能级时放出光子,即半导体发光。辐射的波长决定于半导体材料的禁带宽度E。

   不同材料的禁带宽度E。不同,所以不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。另外有些材料由于成分相掺杂不同,所以就有了各种各样的发光二极管。如图3 -4所示。

   常用发光二极管材料及性能如表3 -1所列。

      

   2.主要参数和特性

   半导体发光二极管既是半导体器件也是发光器件,因此其工作参数有电学参数和光学参数,如正向电流、正向电压、功耗、响应耐间、反向电压、反向电流等电学参数;辐射波长、光谱性发光亮度、光强分布等光学参数。这些参数可从光电器件手册中查到。


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