电阻Ri、R2用于检测输出是否过电压
发布时间:2015/3/24 21:41:53 访问次数:819
电阻Ri、R2用于检测输出是否过电压,为了防A02XD止可能的电磁干扰,在R2两端并联电容器C5,分得的电压经过稳压二极管VD6到IRS2540的ENN端,一旦ENN端的电压达到并超过2V,IRS2540的高边输出被关闭,输出低电位,关闭高边的MOSFET管,低边输出高电位,低边MOSFET管导通。只有ENN端电压重新降到2V以下,高、低边输出才能解锁。由于是作用于负载开路时的输出过电压保护,因此一旦出现输出过电压必煞会造成ENN端电压明显高于2V。当输出开路保护后,尽管电路已经不再输出供电,但是输出滤波电容器C8和C6的放电过程会使电路维持保护状态直到ENN端电压下降到2V以下。
一旦输出开路,只要高边开关导通,输出电压就会很快上升到明显高于保护值,迫使高边开关管经过固有的延时后关断,使得输出电压不再上升。随着高边开关管的关闭,输出电压开始通过以Ri、R2为主的“负载”放电,这个放电过程远长于高边开关管的导通时间。在这个过程中,ENN电压按R、C放电规律下降,当ENN电压降低到2V时,电路重新开放。由于输出开路保护的时间远长于高边开关的导通时间,因此无需考虑输出过电压保护的比较器是否需要迟滞比较器。
ENN端的另一个作用就是可以设置外电路控制关闭,如果这个外电路的控制信号为PWM信号,电路就可以实现PWM调光。
由于PWM信号直接控制ENN端,加上IRS2540没有软启动过程以及不需要考虑输出滤波电容器的充放电过程,因此这个PWM控制过程非常干净,比用NCP10 34控制软启动端的效果更好,既可以提高PWM的频率又可以降低PWM调光可能出现的闪烁效应。
R3为芯片提供启动电压,芯片的供电是由芯片内置的微功耗启动电路实现的,电路正常启动后,输出电压建立,就会有输出电压通过二极管VD4和电阻R4向芯片供电,C3、C4和稳压管VDs可稳定芯片的工作电压。
电路启动时,输入电源通过电阻R6对高边驱动自举电容器充电,芯片工作后,VcC通过二极管VD3向自举电容器充电。为了防止输出电流检测电阻的电压始终低于0. 5V,IRS2540设置了20Us定时器和ltiS脉冲发生器来令低边开关管每隔21Us产生一个低边开关管驱动信号(看门狗信号),令低边开关管导通ltiS为高边驱动电路的自举电容器充电。
电阻Ri、R2用于检测输出是否过电压,为了防A02XD止可能的电磁干扰,在R2两端并联电容器C5,分得的电压经过稳压二极管VD6到IRS2540的ENN端,一旦ENN端的电压达到并超过2V,IRS2540的高边输出被关闭,输出低电位,关闭高边的MOSFET管,低边输出高电位,低边MOSFET管导通。只有ENN端电压重新降到2V以下,高、低边输出才能解锁。由于是作用于负载开路时的输出过电压保护,因此一旦出现输出过电压必煞会造成ENN端电压明显高于2V。当输出开路保护后,尽管电路已经不再输出供电,但是输出滤波电容器C8和C6的放电过程会使电路维持保护状态直到ENN端电压下降到2V以下。
一旦输出开路,只要高边开关导通,输出电压就会很快上升到明显高于保护值,迫使高边开关管经过固有的延时后关断,使得输出电压不再上升。随着高边开关管的关闭,输出电压开始通过以Ri、R2为主的“负载”放电,这个放电过程远长于高边开关管的导通时间。在这个过程中,ENN电压按R、C放电规律下降,当ENN电压降低到2V时,电路重新开放。由于输出开路保护的时间远长于高边开关的导通时间,因此无需考虑输出过电压保护的比较器是否需要迟滞比较器。
ENN端的另一个作用就是可以设置外电路控制关闭,如果这个外电路的控制信号为PWM信号,电路就可以实现PWM调光。
由于PWM信号直接控制ENN端,加上IRS2540没有软启动过程以及不需要考虑输出滤波电容器的充放电过程,因此这个PWM控制过程非常干净,比用NCP10 34控制软启动端的效果更好,既可以提高PWM的频率又可以降低PWM调光可能出现的闪烁效应。
R3为芯片提供启动电压,芯片的供电是由芯片内置的微功耗启动电路实现的,电路正常启动后,输出电压建立,就会有输出电压通过二极管VD4和电阻R4向芯片供电,C3、C4和稳压管VDs可稳定芯片的工作电压。
电路启动时,输入电源通过电阻R6对高边驱动自举电容器充电,芯片工作后,VcC通过二极管VD3向自举电容器充电。为了防止输出电流检测电阻的电压始终低于0. 5V,IRS2540设置了20Us定时器和ltiS脉冲发生器来令低边开关管每隔21Us产生一个低边开关管驱动信号(看门狗信号),令低边开关管导通ltiS为高边驱动电路的自举电容器充电。
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