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东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP)2019/1/30 19:34:17
2019/1/30 19:34:17
东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP),并主要针对各种介质的刻蚀e⒛06年没计的Tclius廴)(lMJi-()x,其目标是用于45nm及其以下I艺节点的逻辑电路工艺。如图8。H"所示...[全文]
透射衰减的相移掩膜版的相移层一般由硅化钼(MoSi)制成2019/1/30 16:55:24
2019/1/30 16:55:24
透射衰减的相移掩膜版的相移层一般由硅化钼(MoSi)制成。一般来讲,对于6%左右的透射率有着6%±0.5%左右的控制精度要求。对相移精度有着180°±5°的要求。JA3515-OS-A04随着工...[全文]
不损害NMOS的电子迁移率2019/1/28 22:18:29
2019/1/28 22:18:29
对于PMC)S,众所周知,具有(110)晶面取向的衬底比具有(100)晶面取向的衬底的空穴迁移率性能更高。M24C16-WBN6P而对于NMOS,具有(110)晶面取向的衬底比具有(100)晶面...[全文]
可以调制沟道电导进而控制沟道电流2019/1/28 21:55:01
2019/1/28 21:55:01
描绘了这种简化了的圆柱体全包围栅无结场效应晶体管器件结构透视图和沿沟道及垂直于沟道方向的器件剖面示意图c在SC)I衬底上晶体管有一个圆柱体的单晶硅沟道,它与器件的源漏区掺杂类型相同(在图中为P型...[全文]
电子与空穴将远离耗尽区而使耗尽区变宽2019/1/28 21:27:49
2019/1/28 21:27:49
对于长度小于少子扩散长度的准电中性区域,并假设二极管在接触点处具有无限大的复合速度,其电流密度表达式可以简单地通过将式中扩散长度替换成准电中性区域的宽度而得到。当在PN结二极管的P极施加正电压,...[全文]
两种半导体的交界面附近的区域称为PN结2019/1/28 21:25:34
2019/1/28 21:25:34
在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,JM38510/01203BCA两种半导体的交界面附近的区域称为PN结。在P型半导体和N型半导体结...[全文]
NPN型三极管的构成2019/1/25 18:34:52
2019/1/25 18:34:52
将两个P型半导体和一个N型半导体按图⒎2(a)所示的方式结合在一起,MA+6431MRUS+T两个P型半导体中的正电荷会向中间的N型半导体中移动,N型半导体中的负电荷会向两个P型半导体移动,结果...[全文]
三极管是一种电子电路中应用最广泛的半导体元器件2019/1/24 20:01:37
2019/1/24 20:01:37
三极管是一种电子电路中应用最广泛的半导体元器件,它有放大、饱和和截止三种状态,HX8875-A00BNAG因此不但可在电路中用来放大,还可当作电子开关使用。外形与符号...[全文]
压敏电阻器具有过压时阻值变小的性质2019/1/23 15:17:12
2019/1/23 15:17:12
压敏电阻器具有过压时阻值变小的性质,利用该性质可以将压敏电阻器应用在保护电路中。F-ONECHIP4-DB是一个家用电器保护器,在使用时将它接在”0V市电和家用电器之间。在正常工作...[全文]
热敏电阻器是一种对温度敏感的电阻器2019/1/23 14:50:20
2019/1/23 14:50:20
热敏电阻器是一种对温度敏感的电阻器,它一般由半导体材料制作而成,当温度变化时其阻值也会随之变化。1,外形与符号FIN1019M热敏电阻器实物外形和符号如图3-28所示...[全文]
电位器与固定电阻器一样2019/1/22 21:28:53
2019/1/22 21:28:53
电位器与固定电阻器一样,都具有降压、限流和分流的功能,不过由于电位器具有阻值可调性,故它可随时调节阻值来改变降压、限流和分流的程度。PIC10F200-I/MC下面以图3-15来说明电位器的应用...[全文]
测量交流电压2019/1/22 20:46:53
2019/1/22 20:46:53
测量交流电压DT-830型数字万用表的交流电压挡具体又分为⒛0V挡和750V挡。MA+6431MRUS+T下面通过测量市电的电压值来说明交流电压的测量,测量如图⒉12所示,具体过程...[全文]
测量前先大致估计被测电压可能有的最大值2019/1/21 22:07:27
2019/1/21 22:07:27
测量直流电压A3977SEDTMF-47型万用表的直流电压挡具体又分为0.25V、1V、2.5V、10V、50V、250V、500V、10OOV和2500V挡。下面通...[全文]
天线在测试配置边界边缘的中心线上2019/1/19 17:58:20
2019/1/19 17:58:20
(1)频率在10kHz~⒛0MHz时:K4S641632D-TC1L测试配置边界小于或等于3m,天线在测试配置边界边缘的中心线上,该边界包括EUT所有分机壳体及本标准...[全文]
测试设各通电预热,使其达到稳定工作状态2019/1/19 17:55:10
2019/1/19 17:55:10
对从⒛0MHz~1GHz的测试,要以足够数量的位置放置天线,以使每个EUT壳体的整个宽度和与EUT壳体端接的电线电缆50mm暴露在天线3dB波束宽度范围内。K4S561632D-TC75...[全文]
低频磁场抗扰度测试 2019/1/18 19:49:09
2019/1/18 19:49:09
低频磁场抗扰度测试测试目的M1MA151WAT1G低频磁场抗扰度测试参考标准为‘O11452-8,用来考查DUT处于可预见的车内电磁干扰源(如充电系统、PWM源)和车...[全文]
汽车电子、电气零部件的测试仪器2019/1/18 19:18:16
2019/1/18 19:18:16
汽车电子、电气零部件的射频辐射电磁场抗扰度测试目的为了衡量汽车电子、电气零部件在各种电磁场环境下的丁作情况,需要对其进行电磁场引起的各种抗扰度测试。汽车电子、电气零部...[全文]
振荡频率抖动的结果是信号的频谱带宽变宽2019/1/16 20:09:32
2019/1/16 20:09:32
通过以上的解释,现在可以很清楚地回答第一个疑问,即当电源负载较小时(~sO0mA)(开关频率抖动I作时),大部分频点的传导骚扰水平会变低,HCF4014M013TR除了电源本身功耗较小而导致骚扰...[全文]
分地后的数字电路噪声干扰电流依然流经模拟敏感电路区域2019/1/15 20:32:55
2019/1/15 20:32:55
再来看一下如图6.105所示的情况,分地后的数字电路噪声干扰电流依然流经模拟敏感电路区域。因此,分地的目的并不是阻止共模电压信号的传递,而是为了改变共模噪声电压所产生的共模电流的路径,要取得分地...[全文]
跨越裂缝区的信号传输等效电路2019/1/14 20:53:24
2019/1/14 20:53:24
从物理图像上可以理解为缝隙的存在等效于在信号传输回路中额外串联了一个电感元这个电感与裂缝右端传输线的输人阻抗(印制线条通常是匹配使用的,JA3214-OS-A04所以右端传输线的输人阻抗等于印制...[全文]
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