对于PMC)S,众所周知,具有(110)晶面取向的衬底比具有(100)晶面取向的衬底的空穴迁移率性能更高。M24C16-WBN6P而对于NMOS,具有(110)晶面取向的衬底比具有(100)晶面取向的衬底的电子迁移率要差。晶向重排可以通过改变PMOS晶体管排版设计(1ay°ut)或者是在标准<100>晶体表面进行通道方向重新排列完成。

   混合取向技术(H汕Ⅱd OⅡentation Techxlo1ogy,HOT)将PMOS做在(110)晶面衬底,NMOS做在(100)晶面衬底上,从而在改进PMOS空穴迁移率的同时,不损害NMOS的电子迁移率。IBM公司在⒛03年IEDM上提出利用晶圆键合和选择性外延技术,得到(110晶面上的PMOs和(100)晶面上的NMOS,报告显示将其应用于90nm CMOS,PMOS性能可以提高40%[221。

  硅直接键合(¤rect Silicon Bondi【△g,DSB)晶片(一种键合(100)和(110)衬底的大块CMOS混合型晶片)是公认的推进这一方法的候选方案。IBM曾将(100)层的面旋转45°并将(110)衬底的DSB层变薄来获得标准的(100)晶片,成功地将环形振荡器的延迟比传统的

DSB衬底0°(100)晶片――它键合到一个具有两个硅衬底,即(100)和(110)衬底的晶片上――的结果改进了10%,并将这一成果与技术集成到一起。新发展将环形振荡器延迟比标准(100)晶片改进了30%。这一成果可以与能达到更高进展的技术集成到一起[23

传统的CM()S器件随着特征尺寸逐步缩小,越来越显现出局限性。研究人员正在积极寻找新的替代器件产品,以便在更小的技术节点中超越体硅CMC)S技术。ITRS中提出的非传统CMOS器件,有超薄体SC)I、能带工程晶体管、垂直晶体管、双栅晶体管、FinFET等。而未来有望被广泛应用的新兴存储器器件,主要有磁性存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM)、纳米存储器(NRAM)、分子存储器(molccular mem°ry)等。新兴的逻辑器件则主要包括了谐振隧道二极管、单电子晶体管器件、快速单通量量子逻辑器件、量子单元自动控制器件、纳米管器件、分子器件等。