- 三阶低通滤波器2008/12/17 0:00:00 2008/12/17 0:00:00
- 如图所示为三阶低通滤波器。图中，ic1是高保真集成运放0pa604，ic2是与0pa604特性相同的双运放0pa2604。ic1和ic2组成三阶巴特沃思低通滤波器。按图中所给出的参数值，...[全文]
- 高通滤波器2008/12/17 0:00:00 2008/12/17 0:00:00
- 一阶高通滤波器 一阶高通滤波器包含一个rc电路，将一阶低通滤波器的r与c对换位置，即可构成一阶高通滤波器。如图所示为一阶高通滤波器。 图6－3－1所示的滤波器是反相放大器。其...[全文]
- 高通滤波器的应用电路2008/12/17 0:00:00 2008/12/17 0:00:00
- 高通滤波器应用非常广泛，下面列举几个典型高通滤波器的应用电路。 1．100hz高通滤波器 如图所示为100hz高通滤波器。此有源高通滤波器的截止频率fc＝100hz，r1与r2之比和...[全文]
- 带通滤波器2008/12/17 0:00:00 2008/12/17 0:00:00
- 带通滤波器是用通过某一频段内的信号，抑制此外频段的信号。带通滤波器分两类，一类是窄带带通滤波器（简称窄带滤波器），另一类是宽带带通滤波器（简称宽带滤波器）。窄带滤波器—般用带通滤波器电路...[全文]
- 新型“傻瓜”功放模块2008/12/8 0:00:00 2008/12/8 0:00:00
- 功放电路的模块化，即新型“傻瓜”功放模块，极大地方便了功放电路的设计、安装和调试，一般不用 调试，一调即响。新型“傻瓜”功放模块的特点是：集成度很高，外围元件极少，失真小，品质好，内部 功能...[全文]
- 三维电感式接触测量头2008/12/8 0:00:00 2008/12/8 0:00:00
- 图1是一种三维电感式接触测量头示意图，图2是其结构图。探头⒈和导向板2（平行片簧的导向板）刚性连接，导向板2可在箭头豸的方向移动，并通过片簧3、12连接于基板13上。基板13是刚性支架，两个...[全文]
- 小电流发光二极管的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 发光二极管（led）作为一种状态指示方式，在仪器仪表中已得到了广泛应用。虽然发光二极管也是内部具有一个pn结的单向导电非线性器件，但是它与普通二极管有所不同，是由磷砷化镓、砷化铝（镓砷铝）、...[全文]
- 普通二极管和稳压二极管的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 普通二极管（如检波二极管）和小功率稳压二极管的外形十分相似，若管子上的字迹脱落，由于它们的外形相似而无法区别。但是它们的性还是有两个明显的不同之处，普通二极管多工作在正向导通和反向截止状态下...[全文]
- 二极管桥堆的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 桥堆是四只或两只二极管按照一定规律连接并接出引出线，进行封装后形成的一种电子器件。 桥堆的图形符号及检测电路如图所示，其中“＋”、“－”指的是整流后输出电压的极性，而桥堆中二极管的极性...[全文]
- 晶闸管的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 晶闸管是温度调节仪中功率输出的执行部件，也是易出故障的部件，晶闸管是可控硅整流器件的简称，国标cb／t 4728，5—2000则称其为反向阻断三极晶体闸流管。其图形符号和阴极侧受控反向阻断“...[全文]
- 电解电容好坏的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 知道电解电容的极性后，就可以用“×1k”挡（对耐压10v或以下）或“×10k”挡（对耐压16v以上）按如图所示的接法进行测量。测量时红表笔接负极，黑表笔接正极。 刚接通的瞬间，将看到指...[全文]
- 固态电容器的检修2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 固态电容器的检测方法：检测时可用万用表的欧姆量挡测量电容器的两端（测量时，若电容器的电容量大时，应使用低挡位；电容电容量较小时，应便用高挡位），表针应大幅度摆动，再慢慢向回摆动，此为电容器的...[全文]
- 变压器的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 1）用电阻法检测变压器： 第一步，按1所示分别测一次、二次绕组的直流电阻。由于变压器绕组均用电阻率小的铜漆包线绕成，所以电阻不大。但是，由于各种变压器线圈匝数的不同，其阻值也有很大区别...[全文]
- 变压器的维修2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 变压器的故障种类较多，但常见的故障现象也不外乎短路、断路和漏电等几种。产生这些故障的原因可归纳为3个方面：一是设计有错误；二是制作质量差；三是使用条件超过了设计要求。 当变压器绕组发生...[全文]
- 掺入稀土元素发光2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在硅中掺入稀土元素能引入局部限制中心，可以实现受激辐射复合。在这种发光情况下，硅材料本身并不是直接发光，而是起到宿主的作用产生带电载流子。这些电荷进入发光中心产生准禁带发光。 在硅中掺...[全文]
- 光发射二极管概述2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半导体发光二极管以其优越的性能弥补了半导体激光器的不足囵，其主要特性为： （1）无阈值特性，在很低电流下就可以实现有效发光； （2）p-i特性好，容易进行信号调制，但是调制速率较...[全文]
- 半导体光发射二极管的基本结构2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半导体光发射二极管本质上就是一个pn结二极管，但各种发光二极管的具体结构却不尽相同。图给出了几种发光二极管的基本结构。 这些发光二极管的有源层通常是在体材料上形成的。尽管用于显示应用的...[全文]
- 发光二极管性质基础理论2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 发光二极管的输出光是由有源层的电子和空穴的自发辐射复合产生的，图1说明了一种直接带隙半导体双异质结二极管在正向偏置电压下禁带结构和载流子浓度分布情况。 图1 双异质结二极管在正向偏...[全文]
- 发光二极管发光强度基础理论2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 发光强度iv指发光二极管在正向工作电流驱动下发出的光强。发光强度的单位为坎德拉，符号记为cd。其定义为：波长为550 nm（即频率为540×10 hz）的单色光源发光时，如果它在某一方向上的...[全文]
- 发光二极管发光光谱特性及温度特性基础理论2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 对于直接带隙半导体来说，峰值波长杨同其禁带宽度相对应；而对于掺zno或n的gan等直接带隙材料来说，峰值波长由等电子陷阱发光中心的位置决定。半导体中，参与电子－空穴复合的能带有一定宽度，而不...[全文]
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