- 陶瓷体激光刻线型片式电感器主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，主要特性参数见表。 表:陶瓷体激光刻线型片式电感器主要特性参数 ...[全文]
- 表面贴装片状整流二极管主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 表:表面贴装片状整流二极管主要特性参数 ...[全文]
- 一些片状整流二极管主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 表:一些片状整流二极管主要特性参数 ...[全文]
- 一些片状快速二极管的主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 表：一些片状快速二极管的主要特性参数 ...[全文]
- 片状三极管的类型及一般封装形式2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 片状-极管可分为双极型-极管和场效应管，一般称它们为片状三极管及片状场效应管。 片状三极管的封装形式很多。一般来讲，封装尺寸小的大都是小功率三极管，封装尺寸大的多为中功率-极管。一般片状-...[全文]
- 片状三极管封装代号与外形尺寸2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 片状-极管可分为双极型-极管和场效应管，一般称它们为片状三极管及片状场效应管。 片状三极管的封装形式很多。一般来讲，封装尺寸小的大都是小功率三极管，封装尺寸大的多为中功率-极管。一般片状-...[全文]
- 一般用途片状三极管的主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 一般用途片状三极管的主要特性参数见表。表:一般用途片状三极管主要特性参数(sot-23式封装) ...[全文]
- 高压片状三极管主要特性参数（SOT-23式封装）2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 高压片状三极管的主要特性参数见表。 表：高压片状三极管主要特性参数(sot-23式封装) ...[全文]
- 片状达林顿管主要特性参数 （SOT-23式封装）2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 片状达林顿管的主要特性参数见表。表：片状达林顿管主要特性参数 (sot-23式封装) ...[全文]
- 片状开关三极管主要特性参数（SOT-23式封装）2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 片状开关三极管的主要特性参数见表。 表：片状开关三极管主要特性参数(sot-23式封装) ...[全文]
- 片状中功率三极管主要特性参数（SOT-89式封装）2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 片状中功率三极管的主要特性参数见表。 表：片状中功率三极管主要特性参数(sot-89式封装) ...[全文]
- 小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数（SOT-23式封装）2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 与双极型半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘...[全文]
- 表面贴装发光二极管主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 一、表面贴装发光二极管主要特性参数 表面贴装发光二极管主要特性参数见表。 表:表面贴装发光二极管主要特性参数见表 ...[全文]
- 常用数码显示器的类型、用途及特点2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 数码显示器基本知识 数码显示器的种类 数码显示器是数码显示电路的末级电路，它用来将输入的数码还原成数字。数码显示器有许多类型，适用的场所也不相同，具体如表所示。在数字电路中使用较多的是液...[全文]
- 数码译码器2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 数码显示器与配套的译码电路和驱动电路一起工作，才能组成数码显示电路。在数字集成电路里，常把译码电器和驱动电路集成在起，称为bcd-7段译码器。可以通过图所给出的译码电路清楚地理解数码译码器的...[全文]
- 数码译码器的输出2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 在表中，只是表示了十进制单个数字的显示数码变化的过程，这中间计数器输出的是4位二进制数。表:数码译码器的输出 ...[全文]
- ST推出一系列新型的绝缘栅双极晶体管STGxL6NC60D2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 近日，意法半导体（st）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（igbt），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用st的全新igbt（包括stgxl6nc60...[全文]
- ST推出全新快速恢复MOSFET产品2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 意法半导体推出快速恢复mosfet晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 ...[全文]
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