温度特性。晶体管L091S474内部PN结允许承受的最高温度称为最大允许结温TjM。一般硅管的TjM在150～175℃之间，锗管的TjM在75～90℃之间，显然硅管的TjM要比锗管高得多，所以允许硅管工作在较高的环境温度里。在实际使用中，为了保证管子不超过最高结温，在功率相同的条件下锗管所用的散热片比硅管所用的散热片要大一些。

   环境温度对晶体管的漏电流的影响极大。一般说来，硅管的反向漏电流要比锗管的反向漏电流小得多。例如，硅高频小功率管3DG6的ICB()≤lOnA(0.Ol/tlA)，而锗高频小功率管3AG1的I(BO≤7p/A，所以漏电流小是硅管很大的优点。当温度升高时，对锗管来说，环境温度每升高10℃，J。Ⅸ，大约增加一倍；对硅管来说，环境温度每升高12℃，ICB()大约增加一倍。

   尽管两者随温度增加速率相近，但是由于硅管的漏电流非常小，所以即使温度上升几十度，漏电流的数值仍比较小，对电路正常工作影响不大，所以硅管比锗管具有更好的耐高温性能。

   综上所述，我们了解了锗管和硅管的特性差异，就可以在选用时，做到扬长避短，物尽其用。