单结晶体管是一种半导体器件，它有HBFP-0405-TR1结和三个电极——一个发射极和两个基极，所以又称为双基极二极管。单结晶体管具有一种重要的电气性能——负阻特性，利用它的这一特性，可以组成弛张振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器以及定时电路等多种脉冲单元电路，并使这些电路的结构大大简化。

   单结晶体管的结构如图2 - 74 (a)所示，在一块高电阻率的N型硅片两端，制作两个欧姆接触电极（接触电阻非常小，纯电阻接触电极），分别叫做第一基极Bi和第二基极B2，硅片的另一侧靠近第二基极B2处制作了一个PN结，在P型半导体上引出的电极叫做发射极E。为了便于分析单结晶体管的工作特性，通常把两个基极B，和B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻。R腽的阻值通常在2～lOkQ范围内。