位置:51电子网 » 技术资料 » 初学园地

光控晶闸管它是由光照射而触发导通的晶闸管

发布时间:2014/12/1 19:18:44 访问次数:1010

   光控晶闸管它是由光照射而触发导通的晶闸管,通常又称光控可控硅。

   ①光控晶闸管的结构  AD5317BRMZ10如图5-20所示。

   ②工作原理  当阳极A接正电源、阴极K接负电源,Ji结和J3结处于正向,J2结处于反向。如用等效二极管VD表示J2结的反向漏电流ID,光控晶闸管的导通电流IA可由下式得到,即

      

   当ID足够大,可使a.+a2 =1,光控晶闸管进入导通状态。当有光照射在发射区时,由于内光电效应,在光控晶闸管内部产生电子空穴对。在J2产生的电子空穴对中,空穴送往P区,而电子送往N区,使流过J2的反向电流ID增大,其增加量就是光电流h。当光照强度足够大时,则IL的值就会使光控晶闸管导通,这就是光控晶闸管的工作原理。

   ③光控晶闸管的伏安特性  它与一般的晶闸管有同样的伏安特性(图5-21),不同的是光照度控制晶闸管的通断。表5-3是3CTU83型光控晶闸管的技术参数。

   光控晶闸管它是由光照射而触发导通的晶闸管,通常又称光控可控硅。

   ①光控晶闸管的结构  AD5317BRMZ10如图5-20所示。

   ②工作原理  当阳极A接正电源、阴极K接负电源,Ji结和J3结处于正向,J2结处于反向。如用等效二极管VD表示J2结的反向漏电流ID,光控晶闸管的导通电流IA可由下式得到,即

      

   当ID足够大,可使a.+a2 =1,光控晶闸管进入导通状态。当有光照射在发射区时,由于内光电效应,在光控晶闸管内部产生电子空穴对。在J2产生的电子空穴对中,空穴送往P区,而电子送往N区,使流过J2的反向电流ID增大,其增加量就是光电流h。当光照强度足够大时,则IL的值就会使光控晶闸管导通,这就是光控晶闸管的工作原理。

   ③光控晶闸管的伏安特性  它与一般的晶闸管有同样的伏安特性(图5-21),不同的是光照度控制晶闸管的通断。表5-3是3CTU83型光控晶闸管的技术参数。

热门点击

 

推荐技术资料

FU-19推挽功放制作
    FU-19是国产大功率发射双四极功率电二管,EPL20... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!