霍尔元件一般采用具有N型的锗、SSP26812FU100锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。锑化铟元件的输出较大，但受温度的影响也较大。锗元件的输出虽小，但它的温度性能和线性度却比较好。砷化铟元件的输出信号没有锑化铟元件大，但是受温度的影响却比锑化铟要小，而且线性度也较好，因此，采用砷化铟做霍尔元件的材料受到普遍重视。

   霍尔元件的结构很简单，它由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体薄片，如图3-36所示。在长边的两个端面上焊上两根控制电流端引线(见图中1-1)，在元件短边的中间以焊点的形式焊上两根霍尔输出端引线（见图中2-2），在焊接处要求接触电阻小，而且呈纯电阻性质的霍尔片用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。