传感器模型建立

   霍尔传感器是基于霍尔效应的传感器，其物理特性用公式表示为

     UH= KHIB    （16-1）

   式中，U。为霍尔电压；KH为霍尔元件灵敏度；，为控制电流；B为垂直于霍尔元件表面的磁感应强度。

   两块相对放置的磁铁间形成磁场，ADM202EARN当物体在沿垂直于磁场方向运动时，由于在一定的测量范围内磁感应强度与位移的关系是近似线性的，所以输出电压与位移也存在线牲关系。

   图16—1所示为实际霍尔传感器测量位移的特性，可见当位移在-0.6~0.6mm之间时，电压一位移关系近似线性。对实验数据进行拟合，由于实际数据是经过放大后的数据，所以在拟合前要将数据除以放大倍数。拟合后的数学表达式为

    UH =151. 7155X    (16-2)

   式中，UH为霍尔元件输出电压，单位为mV,X为被测位移量，单位为mm。

   由以上分析可知，霍尔位移传感器只在很小的范围内呈线性，所以它是用来测量微小位移的。在Multisim中建立的霍尔传感器模型如图16 -2所示（图中1、2为激励电极，3、4为霍尔电极），它的测量范围是-0.6~0.6mm。在图中V．可模拟位移，压控电压源V，模拟霍尔元件随位移而变化的输出电压UH。