电荷耦合器件
发布时间:2014/11/9 18:17:23 访问次数:1214
电荷耦合器件( Charge Couple Device,CCD)是一种金属氧化物半导体(MOS)集成电路器件。ADS7844N它以电荷作为信号,基本功能是进行电荷的存储和电荷的转移。自1970年CCD问世以来,由于其噪声低等特点而发展迅速,并广泛应用于微光电视摄像、信息存储和信息处理等方面。
CCD原理构成CCD的基本单元是MOS电容器,如8-28所示。与其他电容器一样,MOS电容器能够存储电荷。如果MOS电容器中的半导体是P型硅,当在金属电极上施加一个正电压时,在萁电极下形成耗尽层,由于电子在那里势能较低,形成了电子的势阱,成为蓄积电荷的场所,如图8-29所示。CCD的最基本结构是一系列彼此靠得非常近的MOS电容器,这些电容器用同一半导体衬底制成,衬底上面覆盖一层氧化层,并在其上制作许多金属电极,各电极按三相(也有二相和四相)配线方式连接。
电荷耦合器件( Charge Couple Device,CCD)是一种金属氧化物半导体(MOS)集成电路器件。ADS7844N它以电荷作为信号,基本功能是进行电荷的存储和电荷的转移。自1970年CCD问世以来,由于其噪声低等特点而发展迅速,并广泛应用于微光电视摄像、信息存储和信息处理等方面。
CCD原理构成CCD的基本单元是MOS电容器,如8-28所示。与其他电容器一样,MOS电容器能够存储电荷。如果MOS电容器中的半导体是P型硅,当在金属电极上施加一个正电压时,在萁电极下形成耗尽层,由于电子在那里势能较低,形成了电子的势阱,成为蓄积电荷的场所,如图8-29所示。CCD的最基本结构是一系列彼此靠得非常近的MOS电容器,这些电容器用同一半导体衬底制成,衬底上面覆盖一层氧化层,并在其上制作许多金属电极,各电极按三相(也有二相和四相)配线方式连接。
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