SRAM在没有新的写入信号到来时，触发器的状态不会改变，所存信息将长时间保存不变，AD53527J但其所需的元件数较多，并且一个位元中至少有一组MOS管导通，因而功耗较大。而动态RAM具有元件少、功耗低的特点，在大容量存储器中广泛使用。

   DRAM是利用MOS管栅极与衬底间的寄生电容Cg存储信息，如图2-5所示。写入时，字线为1，T管导通，写入的数据加果是“1”，则位线向Cg充电，Cg存有电荷，表示信息“1”，否则Cg没有电荷，就表示存有信息“0”。读出时，字线的高电平使T管导通，Cg就和数据线连通，再经过高灵敏度的读出放大器后就能正确输出。

   由上分析可知，DRAM是依靠Cg上有无电荷来存储信息的，Cg存有电荷，表示信息“1”，否则表示信息“0”。由于电容是动态元件，总有漏电存在，所以Cg上的信息不能长时间地保留，经过电容的漏电，电荷会逐渐泄漏掉。因此，为了保持住Cg上的信息，必须周期性地给存“1”的电路充电，这个过程称为刷新。动态RAM的刷新由刷新外围电路完成，一般以2ms为周期将所有的单元都刷新一遍，这是动态存储器使用时必须要考虑和解决的问题。