高速I/O接口用lOOMB/s的数据速率或更通用的串行总线，例如(USB)2.0、高速以太网和IEEE Std 1394(FireWire和iLink)，会出现与高电压瞬态保护相关的一个特有问题。 PA886C02R为了避免影响期望的信号，在许多这样的接口线上的电容性负载必须保持的小于几pF。除了气体放电管，大多数TVS二极管和其他瞬态抑制设备具有太多的电容。但是，气体放电管被用于ESD或EFT防护响应太慢。大部分TVS二极管的电容在几十到几百pF之间。鹫劳的低电容TVS二极管的电容在l～lOpF之间。这些二极管通常用于高达约lOOMb/s的数据速率，但不能更高了。

   特有的聚合物压敏电阻(VVR)已被改进专门适用这些高速应用”。它们是双极型器件，典型电容范围是0. 1～0. 2pF，断态电阻是l010Q，通态电阻是几欧姆。然而，触发电压比大部分TVS二极管高得多。压敏电阻是导通后钳位电压低于触发电压的消弧器件。典型的触发电压是150V，而钳位电压大约是35V，额定峰值瞬态电流为30A。这些聚合物VVR可用于信号频率高达2GHz昀数据线上。

    图14-14表示用TVS二极管和VVR结合对三种不同高速接口提供瞬态保护的例子。

    TVS二极管用在直流电源线上，而VVR用在高速数据线上。注意如图14-12所示的情况，保护设备与底盘地相连。

    图14 -14应用于高速的瞬态电压保护

   图14-15是保护USB接口的瞬态抑制设备的最佳装配例子。图中表明PCB的底边在USB连接器的下面。安装表面贴装抑制设备是为了使与之串联的任何电感最小化，它们与底盘地而不与电路地相连以分流瞬态电流远离电路。PCB底盘接地面应与实际的底盘有直接的多重的连接。