当逻辑切换时，IC去耦电容将释放一些电荷。当逻辑再次切换前，IC去耦电容必须再充电。比起单独IC去耦电容的情况，再充电电流出现的频率相当低，而且它被位于印制电路板上的大容量去耦电容或电容器组供电。ICL3232EIBNZ-T单独IC去耦电容必须工作在逻辑的切换速度——基本上是与上升和下降时间相关的。大容量去耦电容通常至少具有一半的时钟周期去给单独去耦电容充电；因此，它们工作在时钟频率的两倍或少一些。

   大容量电容的值不是关键，但它应该大于其所服务的IC所有去耦电容值之和。一个大容量去耦电容应该位于电源进入极的位置。其他的大容量电容应合理地位于板的周孱。与边上分布太少相比，在边上分布较多大容量去耦电容是较好的。    

   大容量去耦电容的大小通常为5～lOOruF（lOtLF是一个典型值），且应有一个小的等效串联电感。过去，钽电解质电容器很普通。然而，随着电容技术的提高，多层陶瓷电容器在应用中变得更普遍。铝电解质电容器的电感比钽电解质电容器高一个数量级或更多，因而不应使用。

   因为大容量去耦电容具有的电容值不同于单独IC去耦电容，两个不同的电容值将产生一个并联谐振阻抗尖峰。然而，因为大容量电容具有很大的电容值，阻抗尖峰出现在很低的频率，且幅度较低，通常不会有问题。在大容量电容内少量等效串联电阻实际上是有用的，因为它可提供一定程度的阻尼以减小可能出现的任何谐振峰值的幅度。