晶体管( transistor)是一种半导体器件，P87C524GFAA它根据第三端上的电流或电压，对两端之间的电流进行控制，用于对电信号的放大或开关。双极结型晶体管( BJT:Bipolar Junction Transistor)的基本结构决定了其工作特性。直流偏置在晶体管电路中设置一个适当的电流或电压，对于晶体管的工作非常重要。两个重要的参数。
    在学完本节后，应该能够说明BJT的基本结构和工作过程：
    ①解释npn型晶体管和pnp型晶体管之间的差异。
    ②解释晶体管的偏置。
    ③讨论晶体管的各电流及其之间的关系。
    ④给出pIXi的定义。
    ⑤讨论晶体管的各个电压。
    ⑥计算一个基本晶体管电路中的直流偏置电流和电压。
    BJT是由被两个pn结分开的三块掺杂半导体区构成的，如图17.l(a)中的外延平面结构所示。三个区分别称为发射区( emitter)、基区(base)和集电区(collector)。两种双极型晶体管的表示方法分别如图17.1 (b)和(c)所示。一种由被一个p区分开的两个n区组成(npn)，另一种是由被一个n区分开的两个p区组成(pnp)。
    连接基区和发射区的pn结称力基区一发射区结（发射结）(base-emitter junction)。连接基区和集电区的pn结称为基区一集电区结（集电结）( base-collector j unction)，如图17.l(b)所示。三个区的每一个区上都分别连接一个引脚，如图所示。这些引脚分别用符号E、B、C标记为发射极、基极和集电极。相对于掺杂较多的发射区和集电区材料而言，基区材料的掺杂较少，而且很窄。

           
    图17.2给出了npn和pnp双极型晶体管的电路符号。注意发射极上有一个箭头。术语双极型(bipolar)指的是在该晶体管结构中同时使用空穴和电子作为载流子。尽管npn和pnp型晶体管都得到了广泛的应用，但在本章中，将主要利用npn型晶体管对概念进行介绍。