可编程逻辑器件
发布时间:2013/10/21 19:30:29 访问次数:702
半导体存储器是当今数字系统中不可缺少的组成部分,HA17805P特别是20世纪70年代后期发展起来的可编程逻辑器件是现代大型复杂数字系统的重要部分。近几年来,专用集成电路(ASIC)异军突起,电子系统的设计方法和手段有了很大的变革,电子设计自动化(EDA)成了潮流,可编程器件及其应用成为当前最热门的技术之一。本章介绍了基本半导体存储器件和典型可编程逻辑器件的基本结构和原理。
半导体存储器
根据使用功能的不同,半导体存储器件分为随机存取存储器( RAM)和只读存储器(ROM)。RAM具有易失性,即当电源断电后,存储的数据便随之消失。与RAM不同,ROM一般由专用的装置写入数据,数据一旦写入,不能随意改写,在切断电源后数据也不会消失,具有非易失性。
随机存取存储器(RAM)
基本结构
一般而言,随机存取存储器由存储矩阵、地址译码和输入/输出控制电路3部分组成,其结构如图10.1.1所示。可以看出进出存储器有3类信号线:地址线、数据线和控制线。
(1)存储矩阵
一个存储器由许多存储单元组成,每个单元存放1位二值数掘,存储单元通常排列成矩阵形式。存储器以字为单位组织内部结构,一个字含有若干个存储单元。一个字中所含的位数称为字长。存储单元是存储器的最基本存储细胞,有静态( SRAM)与动态(DRAM)之分,由三极管或MOS管构成。
在实际应用中,常以字数和字长的乘积表示存储器的容量,存储器容量越大,意味着存储器存储的数据越多。
(2)地址译码
通常RAM以字为单位进行数据的读出与写入,为区别各个不同的字,将存放同一字的存储器编为一组,并赋予一个号码,称为地址。不同的字单元具有不同的地址,从而在进行读/写操作时,可以按照地址选择要访问的单元。字单元也称为地址单元。
地址译码电路实现地址的选择,在大容量存储器中,常常采用双译码结构,即将输入地址分为行地址和列地址两部分,别由行地址和列地址译码电路译码。
(3)输入/输出控制电路
为了系统的控制需要,存取存储器必须设输入/输出控制电路,包括读/写控制信号(R/W),片选控制信号(CS)。当片选控制信号(CS)有效时,存储器被选中,可以进行读/写操作,否则存储器不工作。被选中存储器的读、写操作则由读/写控制信号(RlW)具体控制。
半导体存储器是当今数字系统中不可缺少的组成部分,HA17805P特别是20世纪70年代后期发展起来的可编程逻辑器件是现代大型复杂数字系统的重要部分。近几年来,专用集成电路(ASIC)异军突起,电子系统的设计方法和手段有了很大的变革,电子设计自动化(EDA)成了潮流,可编程器件及其应用成为当前最热门的技术之一。本章介绍了基本半导体存储器件和典型可编程逻辑器件的基本结构和原理。
半导体存储器
根据使用功能的不同,半导体存储器件分为随机存取存储器( RAM)和只读存储器(ROM)。RAM具有易失性,即当电源断电后,存储的数据便随之消失。与RAM不同,ROM一般由专用的装置写入数据,数据一旦写入,不能随意改写,在切断电源后数据也不会消失,具有非易失性。
随机存取存储器(RAM)
基本结构
一般而言,随机存取存储器由存储矩阵、地址译码和输入/输出控制电路3部分组成,其结构如图10.1.1所示。可以看出进出存储器有3类信号线:地址线、数据线和控制线。
(1)存储矩阵
一个存储器由许多存储单元组成,每个单元存放1位二值数掘,存储单元通常排列成矩阵形式。存储器以字为单位组织内部结构,一个字含有若干个存储单元。一个字中所含的位数称为字长。存储单元是存储器的最基本存储细胞,有静态( SRAM)与动态(DRAM)之分,由三极管或MOS管构成。
在实际应用中,常以字数和字长的乘积表示存储器的容量,存储器容量越大,意味着存储器存储的数据越多。
(2)地址译码
通常RAM以字为单位进行数据的读出与写入,为区别各个不同的字,将存放同一字的存储器编为一组,并赋予一个号码,称为地址。不同的字单元具有不同的地址,从而在进行读/写操作时,可以按照地址选择要访问的单元。字单元也称为地址单元。
地址译码电路实现地址的选择,在大容量存储器中,常常采用双译码结构,即将输入地址分为行地址和列地址两部分,别由行地址和列地址译码电路译码。
(3)输入/输出控制电路
为了系统的控制需要,存取存储器必须设输入/输出控制电路,包括读/写控制信号(R/W),片选控制信号(CS)。当片选控制信号(CS)有效时,存储器被选中,可以进行读/写操作,否则存储器不工作。被选中存储器的读、写操作则由读/写控制信号(RlW)具体控制。
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