门极关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）也称TQ4-L-12V栅控晶闸管。以P型门极为例，它由PNPN4层半导体材料构成，其3个电极分别为阳极A、阴极K和门极G。
    图7-2所示是单电源门极关断晶闸管栅极驱动电路，电路中的VS2为门极关断晶闸管，VS1为普通晶闸管，VT1为导通脉冲放大管。
    图7-2单电源门极关断晶闸管栅极驱动电路
    1．导通触发过程分析
    在导通脉冲到来时，正脉冲加到NPN型三极管VT1基极，使之饱和导通，其发射极输出的正脉冲通过Rl加到VS2栅极，VS2触发而导通。此时，因为关断脉冲没有出现，所以VS1不能导通而处于截止状态。
    VT1和VS2导通后（VS1截止），VT1管发射极输出电流通过导通的VD1对电容Cl进行充电，充电电流回路如图7-3所示，在电容Cl上充到的电压极性为左正右负。

            
    2．关断触发过程分析
    关断触发脉冲出现，导通触发脉冲消失．VT1截止，关断触发正脉冲加到VS1栅极，使VS1导通，如图7-4所示。VS1导通后，相当于将电容Cl左端接地，这样原先电容Cl上充到的左正右负电压加到VS2栅极，这是负极性电压，即VS2栅极对地加有负极性电压，将VS2关断。