1．具有过电沆、过电压E6C2-AN1E保护的基极驱动电路
    图7-15所示为具有过电流过电压保护的基极驱动电路。该电路的主要特点是利用555时基电路对驱动脉冲进行整形，以提高脉冲前后沿的陡度，并利用其封锁电位实现过电流及过电压保护。当流过GTR的电流超过规定值时，LEM模块输出信号使晶闸管SCR导通，RA上的压降变为低电平，通过555的④脚封锁了加到GTR上的控制信号，使GTR关断，实现了过电流保护的目的。过电压保护的原理是，当GTR集电结承受的电压高于规定值时，二极管VDA截止，使555的⑥脚为高电平，同样阻止了控制信号的传递，即封锁了加到GTR上的驱动信号，也使GTR关断。

          
    该电路由二极管VDB实现抗饱和作用，使GTR基极驱动电流根据集电极的电流自动调节，保证导通过程中GTR始终处于准饱和状态。此外，光耦器件VL2能提高电路的抗干扰能力，在正常情况下VL2起一个等效负载电阻的作用，输入控制信号由VL1引入，逻辑电路与功率电路是隔离的。当有干扰出现时，VL1和VL2同时导通，结果加到晶体管VT的基极上的电压为零，使555的输出为低电平，GTR关断，增强了抗干扰能力。

          
    2．混合微膜组件驱动电路
    组装在一起的混合微膜组件类型较多，现以日本三菱公司的M57917L组件为例加以说明，其驱动电路如图7-16所示。由图可知，电路有7个引线端，控制信号输入和驱动电流输出之间是光隔离的。当U为高电平时，经反相器使组件①脚为低电平，发光二极管中有电流流过，光敏晶体管以及晶体管VT4和VT5同时导通，于是正向驱动管VT1导通，反向驱动管VT2、VT3截止，由电源（⑨脚）经VT1管和外按限流电阻尺向GTR提供正向基极电流，使GTR开通。
    当K为低电平时，组件①端为高电平，发光二极管中无电流流过，于是光敏晶体管、VT4和VT5、VT1均截止，而VT2、VT3导通，由于外接电容C及并接的一串二极管向GTR的发射结提供反向偏置，所以VT2、VT3的导通将迅速把GTR基区中的过剩载流子抽出，加速电力晶体管GTR的关断过程。