针对晶闸管形成过电压的不同原因
发布时间:2013/5/24 20:28:25 访问次数:815
针对晶闸管形成过电压E2E-X14MD1-Z的不同原因，珂以采取不同的抑制方法。减少过电压源，并使过电压幅值衰减；抑制过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径；采用电子线路进行保护。目前最常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称为吸收回路或缓冲电路。
(1)阻容吸收回路。一般过电压波均具有较高的频率，常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧或直接并接在晶闸管的阳极与阴极之间。吸收电容最好选用无感电容，接线应尽量短。
(2)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路。上述阻容吸收回路的时间常数RC固定，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度低其耐压就高；另外是硒堆具有自恢复持性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被熔化的硒重新覆盖，又自行恢复其工作特性。压敏电阻是以氧比锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10～50Ltm的不规则的Zn0微结晶，结晶粒间是厚约1肛m的氧化铋粒界层。遮个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于lOOyA;当加上过电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，漏了能量，抑制了过电压，可以使晶闸管得到有效保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻状态。
(1)阻容吸收回路。一般过电压波均具有较高的频率，常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧或直接并接在晶闸管的阳极与阴极之间。吸收电容最好选用无感电容，接线应尽量短。
(2)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路。上述阻容吸收回路的时间常数RC固定，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度低其耐压就高；另外是硒堆具有自恢复持性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被熔化的硒重新覆盖，又自行恢复其工作特性。压敏电阻是以氧比锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10～50Ltm的不规则的Zn0微结晶，结晶粒间是厚约1肛m的氧化铋粒界层。遮个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于lOOyA;当加上过电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，漏了能量，抑制了过电压，可以使晶闸管得到有效保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻状态。
针对晶闸管形成过电压E2E-X14MD1-Z的不同原因，珂以采取不同的抑制方法。减少过电压源，并使过电压幅值衰减；抑制过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径；采用电子线路进行保护。目前最常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称为吸收回路或缓冲电路。
(1)阻容吸收回路。一般过电压波均具有较高的频率，常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧或直接并接在晶闸管的阳极与阴极之间。吸收电容最好选用无感电容，接线应尽量短。
(2)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路。上述阻容吸收回路的时间常数RC固定，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度低其耐压就高；另外是硒堆具有自恢复持性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被熔化的硒重新覆盖，又自行恢复其工作特性。压敏电阻是以氧比锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10～50Ltm的不规则的Zn0微结晶，结晶粒间是厚约1肛m的氧化铋粒界层。遮个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于lOOyA;当加上过电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，漏了能量，抑制了过电压，可以使晶闸管得到有效保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻状态。
(1)阻容吸收回路。一般过电压波均具有较高的频率，常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧或直接并接在晶闸管的阳极与阴极之间。吸收电容最好选用无感电容，接线应尽量短。
(2)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路。上述阻容吸收回路的时间常数RC固定，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度低其耐压就高；另外是硒堆具有自恢复持性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被熔化的硒重新覆盖，又自行恢复其工作特性。压敏电阻是以氧比锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10～50Ltm的不规则的Zn0微结晶，结晶粒间是厚约1肛m的氧化铋粒界层。遮个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于lOOyA;当加上过电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，漏了能量，抑制了过电压，可以使晶闸管得到有效保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻状态。
相关技术资料- 5-24针对晶闸管形成过电压的不同原因
- 相关IC型号
- E2E-X14MD1-Z
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