(1)如图3-69所示，将万TPS61040DBVR用表置于R×lOk挡，测量RCD和Rcs的阻值，将万用表红、黑表笔接VMOS管的任意一个引脚上，测的电阻值均为无穷大。若所测的电阻值不为无穷大，则说明栅极G与另外两电极间存在漏电现象。
    图3-69 VMOS场效应晶体管RCD和Rcs的检测
    (2)对于采用N沟道的VMOS管可按以下方法判断其性能好坏：
    ①将被测VMOS管的栅极G与源极S用镊子短接一下，然后将万用表置于R xlk挡，红表笔接漏极D，黑表笔接源极S测量阻值。正常时阻值应为数千欧。

              
    ②用导线短接被测VMOS管的栅极G与源极S，然后将万用表置于R×lOk挡，黑表笔接漏极D，红表笔接源极S测量阻值。正常时阻值应为接近无穷大。若不是，说明VMOS管内部PN结的反向特性比较差。
    VMOS管也分为N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。