绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间CAT24C256WI-GT3有绝缘层的场效应管，简称MOS管。绝缘栅场效应管也有N沟道型及P沟道型两种结构形式。无论是N沟道型或P沟道型，都有增强型和耗尽型两种。
    N沟道增强型绝缘栅场效应管  以P型硅片为作为衬底，其间扩散两个高掺杂的N+区并引出两个电极，作为源极S和漏极
D。制作场效应管时先在半导体上制作S102绝缘层，之后在Si02上制作一层金属铝，引出电极作为栅极G，此时的P型半导体称为衬底B。N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号，如图8-6所示。
    绝缘栅型场效应管的特点是输入电阻高，噪声小。
    在通常情况下，源极一般都是与衬底相连，即UBS =0。为保证N沟道增强型MOS管正常工作，应达到如下条件。
    》Ucs =0时，漏源之间是相当于两只背靠背的PN结，木论UDS极性，两个PN结中总有一个PN结反偏，即不存在导电沟道。
Ucs必须大于o(UcS>O)，场效应管才能工作。

           
    >漏极对源极的电压UDS必须为正值(UDS >0)。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。