FET通过加在栅lm399H极上的电压可以控制流过漏极的电流。
    栅极上不加电压时，如图2. 34(a)所示，栅极上不加电压时，由于S、D之间的电压VDS作用，在D、S之间的沟道中流过漏极电流JD。
    栅极上加反向电压时。如图2. 34(b)所示，在G、S之间加反向电压VGS时，由于PN结的耗尽层扩大．沟道的宽度变窄，电流变得难以流动，ID减少。
    FET的特性，图2. 35(a)是FET各部分电压一电流的测量电路，图2.35(b)是电压一电流特性，由此可知：①增大漏极、源极之间的电压V DS时，V吣达到某个值以前漏极电流ID与VDS成正比增大。
    V DS变大时，ID恒定。这时把ID恒定时的电压V吣的最小值称为夹断电压Vp。栅极、源极之间的电压VG。越大，VP越小。
    VGS稍有改变就可以极大地改变J。。因此，也把VGS称为栅压。
    在FET的G、S极之间加反向电压时，在栅极中没有电流流动，因此，FET的输入阻抗非常高。