场效应管分结型、绝缘栅型两大类。绝缘栅场12-215/Y2C-CP1Q2B/3C效应管的栅极G与源极S、漏极D是绝缘的，因此称它为绝缘栅场效应管。
    (1)结型场效应管用JFET（Junction Field Effect Transistor）表示，结型场效应管有两个PN结。
    (2)绝缘栅场效应管用JGFET( Junction-Gate Field Effect Transistor)表示。绝缘栅型场效应管栅极与其他电极完全绝缘。在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属一氧化物一半导体场效应管MOSFET），还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最新的兀MOS场效应管、VMOS功率模块等。

          
    表11-2所示是结型和绝缘栅场效应管分类与结构示意图。表11-2结型和绝缘栅场效应管分类与结构示意图
    各种场效应管按照导电沟道所用的材料不同又分为两类：N沟道，它的载流子为电子；P沟道，它的载流子为空穴。
    增强型和耗尽型的区别是：当醌。=ov时，源极和漏极之间存在导电沟道，称为耗尽型；必须才有导电沟道的，称为增强型。
    所谓增强型是指当既。=0时场效应管是呈截止状态，加上正确的UG。后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指当Uos=0时即形成沟道，加上正确的既。时，能使多数载流子流出沟道，因而“尽”了载流子，使场效应管转向截止。