场效应管的全称是场效应晶体管，通常简称PS21964-AST场效应管(Field EffectTransistor)，简称FET。场效应管与双极型晶体管不同，它是利用电场效应原理控制半导体中电流工作的半导体器件，是一种电压控制型半导体器件（双极型晶体管是电流控制型半导体器件）。与普通双极型晶体管相比较，场效应管具有输入阻抗高、功率增益大、动态范围大、功耗小、温度稳定性好、噪声低、信号失真小、无二次击穿现象、安全工作区域宽、易于集成等特点，得到了越来越广泛的应用。图1. 83显示了几种场效应管。

             
    场效应管的分类
    场效应管按其结构的不同可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型（又称MOS型）场效应管（即MOSFET）两大类，结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。
    在结型和绝缘栅型这两大类场效应管中，按沟道材料的不同有N沟道和P沟道之分。按导电方式的不同又可分为耗尽型与增强型。其中结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型，也有增强型。
    在绝缘栅型场效应管中，目前应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管(即金属一氧化物一半导体场效应管MOSFET)。